报告时间：2019年9月24日（星期二）14:30-15:30

报告地点：格物楼214报告厅

报告人：吴晓斌研究员

工作单位：中国科学院微电子研究所

举办单位：机械工程学院

报告人简介：

吴晓斌，工学博士，研究员，中科院微电子所光电技术研发中心副主任。长期从事极紫外光刻、集成电路制造装备的研发工作。曾参与负责了国家自然科学基金、973、863等多项课题，近年来作为课题负责人承担国家科技重大专项02专项5项课题，发表学术论文30余篇，申请国家发明专利38项（授权19项），申请实用新型专利36项（授权35项），申请PCT专利1项。主持完成极紫外光刻基础共性技术等关键技术的研发工作，填补多项国内空白。现任中国计量测试学会真空计量专业委员会委员，全国真空技术标准化技术委员会委员。

报告简介：

极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography: EUVL）是7nm以下节点集成电路芯片制造的首选光刻技术，采用波长为13.5nm的极紫外光。由于空气及几乎所有的折射光学材料对EUV都具有强烈的吸收作用，因此EUV光刻机的光路传输系统必须置于真空。极紫外光刻真空系统与通常意义的超高真空环境不同：其一方面要保证对13.5nm的EUV光透过率很高，同时又需保证光刻机内部产生的污染气体或颗粒能快速排出。因此，极紫外光刻真空为一种（超）清洁真空环境。报告人基于长期对极大规模集成电路制造装备研发及在极紫外光刻领域的工作经验，结合极紫外光刻机的真空要求、技术特点与国内外发展现状，分析总结了极紫外光刻真空研究的一些关键技术问题和若干关键真空技术挑战。

（陈华/文）